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管式PECVD系統(tǒng)

產品型號：KJ-T1200

主要用途：該系統(tǒng)廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。

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設備介紹

PECVD系統(tǒng)是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜, 該系統(tǒng)廣泛應用于沉積SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。

工作原理

PECVD技術是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上（即樣品放置的托盤）產生輝光放電，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經(jīng)一系列化學反應和等離子體反應，最終在樣品表面形成固態(tài)薄膜。在反應過程中，反應氣體從進氣口進入爐腔，逐漸擴散至樣品表面，在射頻源激發(fā)的電場作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。這些分解物發(fā)生化學反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。其工藝原理示意圖如圖1所示。

pecvd原理

PECVD設備工作原理示意圖

基本結構

PECVD設備主要由真空和壓力控制系統(tǒng)、淀積系統(tǒng)、氣體及流量控制、系統(tǒng)安全保護系統(tǒng)、計算機控制等部分組成。其設備結構框圖如下圖所示。

PECVD結構示意圖

產品優(yōu)勢

1、加熱元件采用摻鉬合金加熱絲，爐膛保溫保溫材料采用氧化鋁陶瓷纖維材料，保溫性能好，耐用，拉伸強度高，無雜球，純度高，節(jié)能效果明顯。
2、整個爐體采用雙層內膽式結構，中間有氣隙隔離，即使爐膛溫度高達1200℃，爐體表面仍然可以安全觸摸無滾燙感覺。
3、爐膛采用節(jié)能材料制作，整機能耗僅僅只有同等傳統(tǒng)電爐的1/3，節(jié)能環(huán)保。
4、爐體配有：輸出電壓和輸出電流監(jiān)測表，爐子加熱狀態(tài)一目了。
5、超溫報警并斷電，漏電保護，操作安全可靠具有多重防護功能。

技術參數(shù)

產品名稱	管式PECVD系統(tǒng)
滑道管式爐部分
產品型號	KJ-T1200
加熱區(qū)長度	300mm（其他尺寸可根據(jù)客戶需求定制）
爐管尺寸	直徑120*1600mm（其他尺寸可根據(jù)客戶需求定制）
工作溫度	≦1100℃
最高溫度	1200℃
測溫元件	N型熱電偶
溫控系統(tǒng)	30段PID微電腦可編程自動控制
保溫溫控精度	±1℃
溫控保護	具有超溫和斷偶保護功能
升溫速率	0-10℃/min
加熱元件	電阻絲
爐膛材料	采用多晶纖維爐膛材料，材料保溫性能好、反射率高、溫場均衡
密封系統(tǒng)	該爐爐管與法蘭之間采用O型圈擠壓密封、撤卸方便、可重復撤卸，氣密性好
爐管	高純石英管
法蘭	304不銹鋼密封法蘭，已安裝機械壓力表和不銹鋼截止閥，方便拆卸，放取材料
爐體結構	厚鋼板雙向滑軌，可實現(xiàn)管式爐移動，達到快速升溫和降溫
真空系統(tǒng)部分
名稱	旋片泵
主要參數(shù)	極限真空度10Pa（包含KF25接口、真空擋板閥和可移動箱體）
真空顯示	電阻數(shù)顯真空計，顯示范圍標準大氣壓--10-1pa
氣路系統(tǒng)部分
名稱	四路質量流量計
氣路	四路
流量控制	數(shù)字顯示，每路氣體含有針閥單獨控制，氣體流量自動控制
進出氣口	四進一出，內置精密混氣罐
鏈接方式	雙卡套接頭
流量范圍	MFC1-MFC4：0-500sccm（量程可選）
控制精度	±1.5%F.S左右，量程不同，略有差別
等離子射頻器部分
名稱	射頻自動匹配器
匹配功率范圍	0-500W
工作頻率	13.56MHZ+0.005%
正常工作反射功率	＜3W
匹配時間	＜3S
傳輸效率	＞90%

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