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氣相化學(xué)沉積系統(tǒng)(CVD管式爐)是利用氣態(tài)化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而在基體表面上生成不揮發(fā)涂層的一種薄膜材料制備系統(tǒng),它由真空管式爐,多通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成。適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、碳納米管生長(zhǎng)、石墨烯材料制備、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。
此款CVD管式爐有兩個(gè)溫區(qū),采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和智能化程序控溫系統(tǒng),移相觸發(fā)、可控硅控制,爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料,雙層爐殼間配有風(fēng)冷系統(tǒng),具有真空裝置,可以通氣氛抽真空,真空泵可以根據(jù)客戶要求的真空度選配,該爐具有溫場(chǎng)均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。
主要功能和特點(diǎn):
1、爐膛采用日本技術(shù)真空吸附成型的優(yōu)質(zhì)氧化鋁多晶纖維無(wú)機(jī)材料,保溫性能好,耐用,拉伸強(qiáng)度高,無(wú)雜球,純度高,節(jié)能效果明顯優(yōu)于其它國(guó)內(nèi)纖維材料;
2、加熱元件采用合金電阻絲,最高發(fā)熱溫度可達(dá)1200℃;
3、升溫速度推薦≤10℃/min,最快升溫速度20℃/min
4、超溫報(bào)警斷電功能及漏電保護(hù)措施,操作安全可靠。
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