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CVD特點(diǎn)
作者:河南鴻爐 來(lái)源：原創(chuàng) 發(fā)表時(shí)間：2014-04-25 15:20:54
CVD系統(tǒng)產(chǎn)品的特點(diǎn)：
1 CVD系統(tǒng)兼容、常壓、微正壓多種主流的生長(zhǎng)模式
2 CVD系統(tǒng)可以在1000Pa-0.1Pa之間任意氣壓下進(jìn)行石墨烯的生長(zhǎng)
3 CVD系統(tǒng)使用計(jì)算機(jī)控制，可以設(shè)置多種生長(zhǎng)參數(shù)
4 CVD系統(tǒng)可以制備高質(zhì)量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達(dá)數(shù)厘米，研究動(dòng)力學(xué)過(guò)程
5 CVD系統(tǒng)沉積效率高；薄膜的成分準(zhǔn)確可控，配比范圍大；厚度范圍廣，由幾百埃至數(shù)毫米，可以實(shí)現(xiàn)厚膜沉積且能大量生產(chǎn)
CVD技術(shù)特點(diǎn)：
具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復(fù)性好、臺(tái)階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設(shè)備簡(jiǎn)單等一系列優(yōu)點(diǎn)
CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中所需要的各種薄膜，例如摻雜或不摻雜的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金屬(鎢、鉬)等
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